产品中心
覆盖硅电容、硅电阻两大系列，超100款量产型号，支持尺寸、参数、封装深度定制，满足AI算力、光通信等多场景需求。
硅电容系列
面向高频、高密度、先进封装场景，覆盖高容值、高耐压、多端子等核心方向。
规格参数
高容值系列
| 容值范围 | 4nF~2μF |
|---|---|
| 电压 | 0.7~48V |
| 耐压 | 3~100V |
| 频率 | 6GHz |
| 温度 | -55~150 |
AI芯片供电 · 先进封装去耦
产品特点
相比传统MLCC，硅电容在多个维度具有显著优势
超高容值密度
多端子产品2μF/mm²业界领先，小尺寸实现大容量
超低ESL/ESR
多端子产品ESL低至2.9pH，ESR仅3.04mΩ
超高稳定性
TCC＜70ppm/℃，DC Bias效应较小
长期可靠性
老化效应几乎可以忽略，容值裕量需求较小
多端子硅电容 · 超低ESL/ESR
7端子产品
0.6 × 0.3 mm
50nF ~ 200nF
ESL ~15pH @1GHz
12端子产品
0.64 × 0.5 mm
350nF
ESL 7.81pH | ESR 10.2mΩ
49端子产品
1.12 × 0.98 mm
2μF
ESL 2.9pH | ESR 3.04mΩ
规格表
高容值系列规格表
全系列量产料号，支持01005/0201/0402等多种封装尺寸
| 产品型号 | 容值(nF) | 耐压(Vdc) | 尺寸(EIA) | 尺寸(mm) | 端子数 | 厚度(μm) | 状态 | 下载 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LHC103SA1K0112 | 10 | 11 | 01005 | 0.4×0.2 | 2 | 100 | 量产 | 下载 |
LHC105SA4K0032 | 1000 | 3 | 0204 | 0.5×1.0 | 2 | 100 | 量产 | 下载 |
LHC403SA2K0152 | 40 | 15 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 | |
LHC503SA2K0042 | 50 | 4 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 | 下载 |
LHC104SA2K0042 | 100 | 4 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 | 下载 |
LHC204SA2K0032 | 200 | 3 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 | 下载 |
LHC402SA2K0502 | 4 | 50 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 | 下载 |
LHC473SA3K0112 | 47 | 11 | 0201L | 0.8×0.6 | 2 | 100 | 量产 | |
LHC223SA3K0302 | 22 | 30 | 0201L | 0.8×0.6 | 2 | 100 | 量产 | |
LHC124SA5K0152 | 120 | 15 | 0402 | 1.0×0.5 | 2 | 100 | 量产 | |
LHC103SA5K0502 | 10 | 50 | 0402 | 1.0×0.5 | 2 | 100 | 量产 | 下载 |
LHC473SA6K0302 | 47 | 30 | 0402L | 1.2×0.7 | 2 | 100 | 量产 | |
LHC503SA2K0047 | 50 | 4 | 0201 | 0.6×0.3 | 7 | 100 | 量产 | 下载 |
LHC104SA2K0047 | 100 | 4 | 0201 | 0.65×0.35 | 7 | 70±10 | 量产 | 下载 |
LHC204SA2K0037 | 200 | 3 | 0201 | 0.6×0.3 | 7 | 100 | 量产 | 下载 |
LHC354SA7K003C | 350 | 3 | 定制 | 0.62×0.48 | 12 | 75 | 量产 | 下载 |
LHC205SA8K003ZC / LHC205SA8K003ZS | 2000 | 3 | 定制 | 1.1×0.96 | 49 | 75 | 量产 | 下载 |
* 更多型号及定制规格请联系销售代表获取完整选型表
典型应用场景
高压硅电容专为高电压、高可靠性场景设计
激光雷达发射侧脉冲生成
问题： 需要高耐压(100V~150V)、小体积、低ESL电容
方案： 高压硅电容与激光二极管紧贴放置
✓ 体积更小 · 环路电感更低 · 满足急速启动脉冲需求
高压DC/DC电源
问题： 传统电容耐压不足或体积过大
方案： 高压硅电容用于输入滤波、RC/RCD吸收
✓ 高耐压 · 小体积 · 提高功率密度
浪涌防护与EMI改善
问题： MLCC易受力微裂，功率环路大EMI明显
方案： 硅电容集成到芯片内部，减小环路面积
✓ 杜绝炸机风险 · 改善EMI · 降低调试难度
FAQ
常见问题
为什么选择硅电容？
相比传统MLCC，硅电容在多个维度具有显著优势
超高容值密度
多端子产品2μF/mm²业界领先，小尺寸实现大容量
超低ESL/ESR
多端子产品ESL低至2.9pH，ESR仅3.04mΩ
超高稳定性
TCC＜70ppm/℃，DC Bias效应较小
长期可靠性
老化效应几乎可以忽略，容值裕量需求较小
为什么选择硅电阻？
CrSi铬硅电阻，相比传统电阻在多个维度具有显著优势
超高匹配精度
A级匹配精度±0.01%，B级±0.025%，满足精密电路需求
超低TCR
TCR＜8ppm/℃（-40℃~150℃），匹配温漂仅0.2ppm/℃
高耐压
工作电压±75V，适用于高压采样、电源监测场景
长期稳定性
200℃下1000小时漂移＜2ppm，寿命可靠