AI/HPC
高密度硅电容阵列，容值密度达2μF/mm²，ESL低至2.9pH，满足AI算力芯片瞬态响应与去耦需求。
硅电容嵌入RDL中介层（Interposer），为高性能计算及AI大芯片提供低阻抗供电路径
为什么需要硅电容？
硅电容嵌入RDL中介层（Interposer），为高性能计算（HPC）及AI大芯片提供低阻抗供电路径。通过抑制电源噪声和减少电压波动，硅电容显著改善PI/SI性能，满足高算力场景下对稳定性和高频响应的严苛需求。
传统MLCC的痛点
局限ESL较大，无法满足AI芯片瞬态大电流需求
DC Bias效应显著，高偏压下有效容值不足
封装尺寸大，无法嵌入中介层或靠近芯片
供电路径长，阻抗高，影响电源完整性
✗ 限制AI芯片性能释放
硅电容的解决方案
优势嵌入RDL中介层、贴近芯片供电，可大幅缩短供电路径、降低供电阻抗
超低ESL/ESR，纳秒级响应负载变化
超高容值密度，小尺寸实现大容量
DC Bias效应较小，容值稳定可靠
降低电源噪声 · 抑制电压波动 · 提升AI芯片供电稳定性