产品中心
覆盖硅电容、硅电阻两大系列，超100款量产型号，支持尺寸、参数、封装深度定制，满足AI算力、光通信等多场景需求。
超高频系列
面向高频、高密度、先进封装场景，覆盖高容值、高耐压、多端子等核心方向。
规格参数
超高频系列
| 容值范围 | 10nF~120nF |
|---|---|
| 电压 | 2.5~24V |
| 耐压 | 11~50V |
| 频率 | 110GHz |
| 温度 | -55~150 |
800G/1.6T光模块 · 高速SerDes
产品特点
相比传统MLCC，硅电容在多个维度具有显著优势
超高容值密度
多端子产品2μF/mm²业界领先，小尺寸实现大容量
超低ESL/ESR
多端子产品ESL低至2.9pH，ESR仅3.04mΩ
超高稳定性
TCC＜70ppm/℃，DC Bias效应较小
长期可靠性
老化效应几乎可以忽略，容值裕量需求较小
规格表
超高频系列规格表
全系列量产料号，最高工作频率110GHz，支持800G/1.6T光模块应用
| 产品型号 | 容值(nF) | 状态 | 耐压(Vdc) | 芯片尺寸(EIA) | 芯片尺寸(mm) | 厚度(μm) | 下载 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LXF103SA1K0112 | 10 | 量产 | 11 | 01005 | 0.4×0.2 | 100 | 下载 |
LXF103SA2K0112 | 10 | 量产 | 11 | 0201 | 0.6×0.3 | 100 | 下载 |
LXF223SA2K0112 | 22 | 量产 | 11 | 0201 | 0.6×0.3 | 100 | 下载 |
LXF103SA2K0302 | 10 | 量产 | 30 | 0201 | 0.6×0.3 | 100 | 下载 |
LXF473SA6K0302 | 47 | 量产 | 30 | 0402L | 1.2×0.7 | 100 | |
LXF124SA6K0152 | 120 | 量产 | 15 | 0402 | 1.0×0.5 | 100 | |
LXF223AA2K0112 | 22 | 量产 | 11 | 0201 | 0.64×0.7 | 100 | 下载 |
* 支持定制，请联系销售代表获取详细规格
FAQ
常见问题
为什么选择硅电容？
相比传统MLCC，硅电容在多个维度具有显著优势
超高容值密度
多端子产品2μF/mm²业界领先，小尺寸实现大容量
超低ESL/ESR
多端子产品ESL低至2.9pH，ESR仅3.04mΩ
超高稳定性
TCC＜70ppm/℃，DC Bias效应较小
长期可靠性
老化效应几乎可以忽略，容值裕量需求较小
为什么选择硅电阻？
CrSi铬硅电阻，相比传统电阻在多个维度具有显著优势
超高匹配精度
A级匹配精度±0.01%，B级±0.025%，满足精密电路需求
超低TCR
TCR＜8ppm/℃（-40℃~150℃），匹配温漂仅0.2ppm/℃
高耐压
工作电压±75V，适用于高压采样、电源监测场景
长期稳定性
200℃下1000小时漂移＜2ppm，寿命可靠