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覆盖硅电容、硅电阻两大系列,超100款量产型号,支持尺寸、参数、封装深度定制,满足AI算力、光通信等多场景需求。

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高频系列

面向高频、高密度、先进封装场景,覆盖高容值、高耐压、多端子等核心方向。

规格参数

高频系列

容值范围0.8pF~2nF
电压15~200V
耐压30~500V
频率26.5GHz
温度-55~150

5G通信 · 射频前端 · 毫米波雷达

产品特点

相比传统MLCC,硅电容在多个维度具有显著优势

超高容值密度

多端子产品2μF/mm²业界领先,小尺寸实现大容量

超低ESL/ESR

多端子产品ESL低至2.9pH,ESR仅3.04mΩ

超高稳定性

TCC<70ppm/℃,DC Bias效应较小

长期可靠性

老化效应几乎可以忽略,容值裕量需求较小

规格表

高频系列规格表

全系列量产料号,容值覆盖0.8pF~1000pF,耐压最高250V,频率26.5GHz

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产品型号容值(pF)耐压(Vdc)焊盘尺寸(mil)尺寸(mm)厚度(μm)状态
LHF0R8WB1A25010.825007/100.254×0.254100量产
LHF1R6WB1B25011.625007/100.254×0.254100量产
LHF2R1WB1B25012.125007/100.254×0.254100量产
LHF3R7WB1B25013.725007/100.254×0.254100量产
LHF4R3WB1B25014.325007/100.254×0.254100量产
LHF5R0WB1K2501525007/100.254×0.254100量产
LHF8R2WB1K25018.225007/100.254×0.254100量产
LHF100WB1K25011025007/100.254×0.254100量产
LHF0R8WB2A25010.825009/120.305×0.305100量产
LHF1R2WB2B25011.225009/120.305×0.305100量产
LHF1R8WB2B25011.825009/120.305×0.305100量产
LHF2R6WB2B25012.625009/120.305×0.305100量产
LHF3R8WB2B25013.825009/120.305×0.305100量产
LHF5R6WB2K25015.625009/120.305×0.305100量产
LHF6R8WB2K25016.825009/120.305×0.305100量产
LHF100WB2K25011025009/120.305×0.305100量产
LHF150WB2K25011525009/120.305×0.305100量产
LHF2R5WB5B25012.525015/180.457×0.457100量产
LHF4R0WB5B2501425015/180.457×0.457100量产
LHF5R6WB5K25015.625015/180.457×0.457100量产
LHF8R2WB5K25018.225015/180.457×0.457100量产
LHF150WB5K25011525015/180.457×0.457100量产
LHF220WB5K25012225015/180.457×0.457100量产
LHF330WB5K25013325015/180.457×0.457100量产
LHF470WB5K25014725015/180.457×0.457100量产
LHF680WB5K25016825015/180.457×0.457100量产
LHF9R2WB7K25019.225024/300.762×0.762100量产
LHF140WB7K25011425024/300.762×0.762100量产
LHF200WB7K25012025024/300.762×0.762100量产
LHF420WB7K25014225024/300.762×0.762100量产
LHF500WB7K25015025024/300.762×0.762100量产
LHF600WB7K25016025024/300.762×0.762100量产
LHF101WB7K250110025024/300.762×0.762100量产
LHF120WB8K25011225034/401.016×1.016100量产
LHF180WB8K25011825034/401.016×1.016100量产
LHF270WB8K25012725034/401.016×1.016100量产
LHF400WB8K25014025034/401.016×1.016100量产
LHF101WB8K250110025034/401.016×1.016100量产
LHF271WB8K250127025034/401.016×1.016100量产
LHF331WB8K250133025034/401.016×1.016100量产
LHF200WB9K25012025044/501.27×1.27100量产
LHF300WB9K25013025044/501.27×1.27100量产
LHF450WB9K25014525044/501.27×1.27100量产
LHF650WB9K25016525044/501.27×1.27100量产
LHF201WB9K250120025044/501.27×1.27100量产
LHF401WB9K250140025044/501.27×1.27100量产
LHF501WB9K250150025044/501.27×1.27100量产
LHF340WBBK25013425060/681.727×1.727100量产
LHF550WBBK25015525060/681.727×1.727100量产
LHF800WBBK25018025060/681.727×1.727100量产
LHF121WBBK250112025060/681.727×1.727100量产
LHF361WBBK250136025060/681.727×1.727100量产
LHF771WBBK250177025060/681.727×1.727100量产
LHF102WBBK2501100025060/681.727×1.727100量产

* 支持定制,请联系销售代表获取详细规格

FAQ

常见问题

为什么选择硅电容?

相比传统MLCC,硅电容在多个维度具有显著优势

超高容值密度

多端子产品2μF/mm²业界领先,小尺寸实现大容量

超低ESL/ESR

多端子产品ESL低至2.9pH,ESR仅3.04mΩ

超高稳定性

TCC<70ppm/℃,DC Bias效应较小

长期可靠性

老化效应几乎可以忽略,容值裕量需求较小

为什么选择硅电阻?

CrSi铬硅电阻,相比传统电阻在多个维度具有显著优势

超高匹配精度

A级匹配精度±0.01%,B级±0.025%,满足精密电路需求

超低TCR

TCR<8ppm/℃(-40℃~150℃),匹配温漂仅0.2ppm/℃

高耐压

工作电压±75V,适用于高压采样、电源监测场景

长期稳定性

200℃下1000小时漂移<2ppm,寿命可靠

合作与联系

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