面向核心应用场景的器件能力
面向AI/HPC、SOC芯片、高速光模块、IVR集成电压调节器模块、5G通讯及汽车激光雷达等核心应用场景，提供高频、低寄生、高集成度的硅基无源方案。
AI/HPC
高密度硅电容阵列，容值密度可达2μF/mm²，ESL低至2.9pH，满足AI算力芯片瞬态响应与去耦需求。
SOC芯片
硅电容/硅电阻用于合封集成与电源优化，超薄结构嵌入先进封装，提升SoC能效与小型化。
高速光模块
67GHz+超高频硅电容，支持800G/1.6T光模块的偏置与去耦，降低链路损耗与抖动。
IVR集成电压调节器模块
面向芯片电源管理与高密度系统供电，支持IVR集成电压调节器模块与低ESL去耦，提升瞬态响应与电源完整性。
5G通讯
高频硅电容/硅电感，低插损、高Q值，适配射频前端、毫米波与基站子系统，保障5G信号完整性。
汽车激光雷达
高压硅电容（100-150V）配合超低ESL设计，适配脉冲驱动电路，提升探测距离与系统可靠性。
最新动态
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朗矽科技将参加OFC 2027丨诚邀莅临 K-1136 展位
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上海朗矽科技有限公司-小元件大未来
硅电容系列 高容值、高频、超高频、高耐压
硅电容系列 高容值、高频、超高频、高耐压
硅电阻系列 高精度匹配、低 TCR、高稳定性
解决方案
AI/HPC 高密度去耦与低阻抗设计
SOC芯片 合封集成与电源完整性优化
高速光模块 67GHz+ 超高频硅电容
5G通讯 高频低损耗，射频前端适配
汽车激光雷达 高压脉冲电容与低寄生驱动
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多端子基板埋容方案 面向 AI 与先进封装
基于硅基无源器件工艺平台，提供高容值密度、超低 ESL 与超薄化封装能力， 广泛应用于 AI 算力、服务器电源、光通信与高端先进封装场景。
多端子高密度集成 ESL 低至 2.9pH 先进封装兼容 AI / HPC 场景适配
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多端子高密度集成
超低 ESL / 高频稳定
先进封装兼容设计
专为超高速光模块而生 验证硅电容技术价值
超高频硅电容专门应用于1.6T/3.2T光模块，拥有超低插损，避免信号失真
01005小尺寸 超低插损 频率高达110GHz
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01005小尺寸
超低插损
频率高达110GHZ
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全系列产品支持定制开发
覆盖硅电容、硅电阻两大系列，超100款量产型号，支持尺寸、参数、封装深度定制，满足AI算力、光通信等多场景需求。
硅电容系列
面向高频、高密度、先进封装场景，覆盖高容值、高耐压、多端子等核心方向。
高容值系列 高频系列 超高频系列 高压系列
适配 AI/HPC 低 ESL / ESR 系统级去耦
硅电阻系列
聚焦高精度匹配、低温漂、高稳定性，为高端模拟与传感场景提供可靠器件支持。
CrSi 结构 精密匹配 低 TCR 高稳定性 模拟应用 传感适配
匹配精度±0.05% TCR ±5ppm 高稳定性
定制能力一目了然
针对不同应用场景与封装需求，朗矽可提供参数、尺寸、结构、封装适配等方向的定制化支持，方便客户快速判断是否可导入项目。
支持尺寸定制 支持参数范围调整 支持封装适配 支持应用场景选型 支持项目联合开发
面向核心应用场景的器件能力
面向AI/HPC、SOC芯片、高速光模块、5G通讯及汽车激光雷达等核心应用场景，提供高频、低寄生、高集成度的硅基无源方案。
AI/HPC
高密度硅电容阵列，容值密度达2μF/mm²，ESL低至2.9pH，满足AI算力芯片瞬态响应与去耦需求。
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SOC芯片
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高速光模块
67GHz+超高频硅电容，支持800G/1.6T光模块的偏置与去耦，降低链路损耗与抖动。
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5G通讯
高频硅电容/硅电感，低插损、高Q值，适配射频前端、毫米波与基站子系统，保障5G信号完整性。
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汽车激光雷达
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