产品中心
覆盖硅电容、硅电阻两大系列，超100款量产型号，支持尺寸、参数、封装深度定制，满足AI算力、光通信等多场景需求。
高压系列
面向高频、高密度、先进封装场景，覆盖高容值、高耐压、多端子等核心方向。
规格参数
高压系列
| 容值范围 | 1.5pF~1000pF |
|---|---|
| 电压 | 63~1000V |
| 耐压 | 150~2500V |
| 频率 | 26.5GHz |
| 温度 | -55~150 |
激光雷达 · 高压DC/DC · 浪涌防护
产品特点
相比传统MLCC，硅电容在多个维度具有显著优势
超高容值密度
多端子产品2μF/mm²业界领先，小尺寸实现大容量
超低ESL/ESR
多端子产品ESL低至2.9pH，ESR仅3.04mΩ
超高稳定性
TCC＜70ppm/℃，DC Bias效应较小
长期可靠性
老化效应几乎可以忽略，容值裕量需求较小
规格表
高压系列规格表
全系列量产料号，耐压覆盖150V~1200V，支持定制更高电压
| 产品型号 | 静电容量(pF) | 状态 | 耐压(Vdc) | 焊盘/芯片尺寸(mil) | 芯片尺寸(mm) | 厚度(μm) | 端子数 | 下载 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LHV102WB6K1501 | 1000 | 量产 | 150 | 18/20 | 0.5*0.5 | 100 | 2 | 下载 |
LHV150WB9K1021 | 15 | 量产 | 1000 | 44/50 | 1.27*1.27 | 300 | 2 | |
LHV280WBBK1021 | 28 | 量产 | 1000 | 60/68 | 1.27*1.27 | 300 | 2 | |
LHV330WBBK1221 | 33 | 量产 | 1200 | 60/68 | 1.27*1.27 | 300 | 2 |
* 支持定制，请联系销售代表获取详细规格
工作电压最高可达1000V，介质耐压最高可达2500V。低频下Q值超过10000。
FAQ
常见问题
为什么选择硅电容？
相比传统MLCC，硅电容在多个维度具有显著优势
超高容值密度
多端子产品2μF/mm²业界领先，小尺寸实现大容量
超低ESL/ESR
多端子产品ESL低至2.9pH，ESR仅3.04mΩ
超高稳定性
TCC＜70ppm/℃，DC Bias效应较小
长期可靠性
老化效应几乎可以忽略，容值裕量需求较小
为什么选择硅电阻？
CrSi铬硅电阻，相比传统电阻在多个维度具有显著优势
超高匹配精度
A级匹配精度±0.01%，B级±0.025%，满足精密电路需求
超低TCR
TCR＜8ppm/℃（-40℃~150℃），匹配温漂仅0.2ppm/℃
高耐压
工作电压±75V，适用于高压采样、电源监测场景
长期稳定性
200℃下1000小时漂移＜2ppm，寿命可靠