产品中心
覆盖硅电容、硅电阻两大系列，超100款量产型号，支持尺寸、参数、封装深度定制，满足AI算力、光通信等多场景需求。
硅电感系列
核心应用：AI服务器电源、5G/6G射频前端、微型逆变器、智能手表等可穿戴设备，解决高频供电需求。关键价值：具备高频响应、高精度控制、微型化体积与超低损耗优势，是实现电路高效能的核心保障。
定义：晶圆 / 硅中介层上用半导体 MEMS/TSV/厚铜电镀工艺制作的电感，分两类主流结构：
分两类主流结构：①BEOL 平面螺旋片上电感②3D 硅沟槽 / TSV 螺线管硅电感（中介层嵌入型，先进封装方向）
产品特点
硅电感系列
- 晶圆级兼容，可与硅电容同片集成
- 高频性能好，一致性高
- 极小体积、超薄
- 温漂小、高可靠性
- 可做阵列、多绕组
典型应用
硅电感系列
2.5D/3D 先进封装
高速光模块
射频无线电路
军工、航空、车载高可靠电子
传感器芯片
FAQ
常见问题
为什么选择硅电容？
相比传统MLCC，硅电容在多个维度具有显著优势
超高容值密度
多端子产品2μF/mm²业界领先，小尺寸实现大容量
超低ESL/ESR
多端子产品ESL低至2.9pH，ESR仅3.04mΩ
超高稳定性
TCC＜70ppm/℃，DC Bias效应较小
长期可靠性
老化效应几乎可以忽略，容值裕量需求较小
为什么选择硅电阻？
CrSi铬硅电阻，相比传统电阻在多个维度具有显著优势
超高匹配精度
A级匹配精度±0.01%，B级±0.025%，满足精密电路需求
超低TCR
TCR＜8ppm/℃（-40℃~150℃），匹配温漂仅0.2ppm/℃
高耐压
工作电压±75V，适用于高压采样、电源监测场景
长期稳定性
200℃下1000小时漂移＜2ppm，寿命可靠