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面向AI/HPC、SOC芯片、高速光模块、5G通讯及汽车激光雷达等核心应用场景,提供高频、低寄生、高集成度的硅基无源方案。

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面向核心应用场景的器件能力

面向AI/HPC、SOC芯片、高速光模块、5G通讯及汽车激光雷达等核心应用场景,提供高频、低寄生、高集成度的硅基无源方案。

AI/HPC

AI/HPC

高密度硅电容阵列,容值密度达2μF/mm²,ESL低至2.9pH,满足AI算力芯片瞬态响应与去耦需求。

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SOC芯片

SOC芯片

硅电容/硅电阻用于合封集成与电源优化,超薄结构嵌入先进封装,提升SoC能效与小型化。

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高速光模块

高速光模块

67GHz+超高频硅电容,支持800G/1.6T光模块的偏置与去耦,降低链路损耗与抖动。

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5G通讯

5G通讯

高频硅电容/硅电感,低插损、高Q值,适配射频前端、毫米波与基站子系统,保障5G信号完整性。

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汽车激光雷达

汽车激光雷达

高压硅电容(100-150V)配合超低ESL设计,适配脉冲驱动电路,提升探测距离与系统可靠性。

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硅基无源器件核心能力

基于半导体工艺的3D硅电容、硅电阻、硅电感,为高端电子系统提供底层技术支撑。

100 GHz+

高频能力

满足毫米波与6G应用,支持100GHz+超高频设计

2 µF/mm²

高容值密度

超近端储能,显著降低IR Drop,优化电源完整性

2.9 pH

超低ESL

多端子结构设计,极致优化高频去耦性能

-55~150 ℃

宽温工作

满足车规级严苛环境,高可靠性保障

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探讨硅基无源器件在您系统中的集成可能

欢迎与应用工程团队交流,评估 3D 硅电容 / 硅电感 / 硅电阻 在 AI 算力、光通信、激光雷达等场景中的技术适配。

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